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MMBTA42LT1G

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MMBTA42LT1G

制造商
onsemi
描述Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R TRANS SS NPN 300V HV SOT23 MMBTA42LT1G, NPN Bipolar Transistor, 0.5A 300V HFE:25V 50MHz Small Signal, 3-Pin SOT-23 Transistors Bipolar - BJT 500mA 300V NPN TRANSISTOR, NPN, 300V, 500MA, SOT-23-3 TRANSISTOR, NPN, SOT-23 TRANSISTOR,HIGHVOLTAGE;SOT-23;NPN;300VDC;300VDC;6.0VDC;500MADCCOLLECTOR Transistor SOT-23 NPN 300 V 500 mA, MMBTA42LT1G, ON Semiconductor ON Semiconductor , NPN 晶体管, 0.5 A, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 3针 SOT-23封装 Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
分类
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商业参数

其他名称MMBTA42LT1GOSCT产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

频率50 MHz最大功率225mW
额定功率0.3 W最大频率50(Min) MHz
晶体管类型NPN供电电压300V
元件数量1Vce饱和电压(最大)0.5 V
最小输入电压300 V过渡频率50MHz
增益带宽积50 MHz电源电压(最大)6 V
最大功耗300 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic300 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA集电极电流(Ic)(最大)500mA
集电极截止电流(最大)0.5 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V
集电极-发射极击穿电压(最大)6 V

机械参数

宽度1.3mm高度0.94mm
长度2.9mm重量0.000033
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3SOT-23冷却的封装SOT-23
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited包装数量SOT-23
主要材料Si尺寸/外形0.94 x 2.9 x 1.3mm
位数3供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

类型NPN极性NPN
卡标准Bipolar Small Signal配置Single

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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