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PSMN016-100YS,115
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET Single NChannel 100V 204A 117W 29.3mOhms Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R MOSFET N-CH LFPAK |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 568-5579-2 | 标准包装数量 | 1,500 |
| 工厂包装数量 | 1500 | 标准封装名称 | LFPAK |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 栅极电荷 | 54 nC |
| 最大功率 | 117W | 额定功率 | 117 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 1mA | 击穿电压 | 100 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 16.3 mOhms at 10 V | 最大功耗 | 117000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V | 导通电阻（最大） | 0.0163 ohm |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 51 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 51 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2744pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 51A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.1(Max) | 包装方式 | Reel |
| 插片宽度 | Tab | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-669 | 冷却的封装 | LFPAK |
| 总长度 | 5(Max) | 包装数量 | LFPAK |
| 位数 | 5 | 外壳尺寸-插件 | 1.1(Max) |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | N | 配置 | Single Triple Source |
| 印刷电路板数量 | 4 | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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