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PHT11N06LT,135

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PHT11N06LT,135

制造商
描述
MOSFET TAPE13 PWRMOS Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223
分类
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商业参数

零件号别名/T3 PHT11N06LT产品类别MOSFET
标准包装数量4,000工厂包装数量4000
标准封装名称SOT-223

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间65 ns
最大栅源电压 Vgs±13FET特性Logic Level Gate
最大功率8.3W额定功率1800 mW
上升时间(典型)65 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟70 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 1mA击穿电压55
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs40 mOhms at 5 V最大功耗1800
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic55 V导通电阻(最大)40@5V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs17nC @ 5V漏源电压(Vdss)55V
峰值脉冲电流(10/1000µs)10.7栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 13 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)10.7 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1400pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C4.9A

机械参数

宽度3.7(Max)包装方式Reel
插片宽度Tab引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-223总长度6.7(Max)
包装数量SC-73位数4
外壳尺寸-插件1.7(Max)供应商器件封装SC-73

产品信息

通道类型N配置Single Dual Drain
印刷电路板数量3

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C

文档与媒体

PDF 文档