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BF1206,115

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BF1206,115

制造商
描述
Transistors RF MOSFET Small Signal TAPE-7 MOS-RFSS MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP Transistors RF MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
分类
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商业参数

零件号别名BF1206产品类别Transistors RF MOSFET Small Signal
标准包装数量3,000工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

增益30dB频率400MHz
最大栅源电压 Vgs10 V, 10 V噪声系数1.3dB
额定功率180 mW测试电压5V
额定电压6V晶体管类型N-Channel
输出电流18mA最大额定电流30mA
平均正向功率180 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic6 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)30 mA连续漏极电流(Id)@ 25°C30 mA, 30 mA

机械参数

宽度1.35 mm高度1 mm
长度2.2 mm包装方式Reel
安装样式SMD/SMT封装形式UMT-6
供应商器件封装6-TSSOP

产品信息

类型RF Small Signal MOSFET技术Si
通道类型Enhancement制造商全称NXP Semiconductors
配置Dual Dual Gate

环境参数

工作温度+ 150 C

文档与媒体

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