
点击放大查看
BF1206,115
| 制造商 | |
| 描述 | Transistors RF MOSFET Small Signal TAPE-7 MOS-RFSS MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP Transistors RF MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS |
| 分类 |
对参数有疑问?问 AI 助手
商业参数
| 零件号别名 | BF1206 | 产品类别 | Transistors RF MOSFET Small Signal |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 30dB | 频率 | 400MHz |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V, 10 V | 噪声系数 | 1.3dB |
| 额定功率 | 180 mW | 测试电压 | 5V |
| 额定电压 | 6V | 晶体管类型 | N-Channel |
| 输出电流 | 18mA | 最大额定电流 | 30mA |
| 平均正向功率 | 180 mW | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 6 V |
| 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 30 mA | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 30 mA, 30 mA |
机械参数
| 宽度 | 1.35 mm | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 2.2 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | UMT-6 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP | ||
产品信息
| 类型 | RF Small Signal MOSFET | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | NXP Semiconductors |
| 配置 | Dual Dual Gate | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
