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2N7002,215
| 制造商 | NXP Semiconductors N.V. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 2N7002,215, N-channel MOSFET Transistor 0.3A 60V, 3-Pin TO-236AB MOSFET, N CH, 60V, 300MA, SOT-23-3 NXP N沟道 Si MOSFET , 300 mA, Vds=60 V, 3针 TO-236AB封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 568-1369-1 | 标准包装数量 | Cut Tape |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 830mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 0.83 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :N Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :2V | 导通电阻 RDS(On) | :2.8ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5000@10V mOhm | 最大功耗 | 0.83 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 漏电流（最大） | 0.3 A |
| 导通电阻（最大） | 5 Ω | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.3 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.3 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 300mA (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.4mm | 高度 | 1mm |
| 长度 | 3mm | 重量 | 0.00001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-236AB | 冷却的封装 | TO-236AB |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 3(Max) |
| 包装数量 | TO-236AB | 尺寸/外形 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||