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IXCP01N90E

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IXCP01N90E

制造商
描述
MOSFET 0.01 Amps 900V Trans MOSFET N-CH 900V 0.25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 MOSFET N-CH 900V 250MA TO-220
分类
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商业参数

标准包装数量50工厂包装数量50
标准封装名称TO-220

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20
FET特性Standard最大功率40W
额定功率40000 mW晶体管类型N-Channel
首抽头延迟61 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id5V @ 25µA击穿电压900
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs80000 mOhms最大功耗40000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic900 V导通电阻(最大)80000@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs7.5nC @ 10V漏源电压(Vdss)900V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.25漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)0.25 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds133pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C250mA (Tc)

机械参数

宽度4.83(Max)重量0.081130 oz
包装方式Tube插片宽度Tab
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
安装样式Through Hole封装形式TO-220-3
总长度10.66(Max)包装数量TO-220
位数3外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220

产品信息

系列IXCP01N90E通道类型N
配置Single印刷电路板数量3

环境参数

工作温度+ 150 C

文档与媒体

PDF 文档