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IPD50N06S3-15
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms |
| 分类 |
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商业参数
| 零件号别名 | IPD50N06S315XT | 产品类别 | MOSFET |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 67 ns | 额定功率 | 65 W |
| 上升时间（典型） | 59 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 24 ns | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15 m Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 55 V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 50 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-252 | ||
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 175 C |