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IPD096N08N3 G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V N-CH 80V 73A 10mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 2500 | 零件号别名 | IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GXT SP000474196 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 5 ns |
| 逻辑类型 | NO | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 100W | 额定功率 | 100 W |
| 上升时间（典型） | 30 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 23 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 46µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0096 Ohms | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 每端口功率（瓦） | 100W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 80V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 35nC | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 73 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2410pF @ 40V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 73A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | SMD |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-252 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | ||
产品信息
| 系列 | IPD096N08 | 匹配码 | IPD096N08N3 G |
| 技术 | OptiMOS | 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 1.5K/W |