点击放大查看
IPB019N06L3 G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH N-CH 60V 120A 2mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 1000 | 其他名称 | IPB019N06L3 GCT |
| 零件号别名 | IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GXT SP000453020 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 250W |
| 额定功率 | 250000 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 131 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 196µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.9 mOhms | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 每端口功率（瓦） | 250W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 166nC | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 120 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 28000pF @ 30V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120A |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | SMD |
| 封装形式 | TO-263 | 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
产品信息
| 系列 | IPB019N06 | 匹配码 | IPB019N06L3 G |
| 技术 | OptiMOS 3 | 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 0.6K/W |