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BSC889N03LS G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | BSC889N03LS GCT | 零件号别名 | BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03LSGXT SP000475952 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 5,000 |
| 工厂包装数量 | 5000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 2.4 ns |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 28W |
| 额定功率 | 2.5 W | 上升时间（典型） | 2.2 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 13 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.009 Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 13 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1300pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45A | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TDSON-8 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 | ||
产品信息
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||