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BSC080N03MS G
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES N-CH 30V 53A 8.0mOhm TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 MOSFET N-Channel 30V 13A OptiMOS3 TDSON8 MOSFET, N CH, 53A, 30V, PG-TDSON-8 Infineon , N沟道 MOSFET, 53 A, Vds=30 V, 8针 TDSON封装 MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 5000 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 5000 | 其他名称 | BSC080N03MSGINCT |
| 零件号别名 | BSC080N03MSGATMA1 SP000311514 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 5,000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 5.6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 35W |
| 额定功率 | 2.5 W | 上升时间（典型） | 5.4 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 10 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V | 阈值电压 | :1V |
| 最大额定电流 | :53A | 导通电阻 RDS(On) | :6.7mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0102Ohm | 最大功耗 | 35 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 每端口功率（瓦） | 35W |
| 导通电阻（最大） | 10.2 mΩ | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 9.9nC | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 53 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 53A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2100pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 6.1mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 5.35mm | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | SMD |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | TDSON-8 | 冷却的封装 | PG-TDSON-8 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 尺寸/外形 | 5.35 x 6.1 x 1.1mm |
| 位数 | 8 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
产品信息
| 系列 | BSC080N03 | 匹配码 | BSC080N03MS G |
| 技术 | OptiMOS | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | 5 V Driver, SMPS | 配置 | Quad Drain, Single Gate, Triple Source |
| 标准交期 | 21 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | 热阻 @ GPM | 3.6K/W |