芯天下
BSC042N03MS G

点击放大查看

BSC042N03MS G

制造商
Infineon Technologies AG
描述Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP N-CH 30V 93A 4.2mOhm TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 MOSFET N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M
分类
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

最小起订量5000单位包装5000
其他名称BSC042N03MSGINCT标准包装数量Tape & Reel

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型YESFET特性Logic Level Gate
最大功率57W首抽头延迟19 ns
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 250µA击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4.2@10V mOhm传播延迟(最大)8 ns
每端口功率(瓦)57W供电电压 (Vcc/Vdd)30V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs20nC开关时间(Ton, Toff)(最大)16 ns
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)17 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)93A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4300pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C17A (Ta), 93A (Tc)

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
封装形式8TDSON EP供应商器件封装PG-TDSON-8 (5.15x6.15)

产品信息

匹配码BSC042N03MS G技术OptiMOS
通道类型Enhancement标准交期21 weeks

环境参数

工作温度-55 to 150 °C热阻 @ GPM2.2K/W