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IRLR2908PBF
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET , 39 A, Vds=80 V, 3针 DPAK封装 MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms |
| 分类 |
商业参数
| 工厂包装数量 | 675 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 55 ns | 最大栅源电压 Vgs | 16 V |
| 栅极电荷 | 22 nC | 开通延迟时间 | 12 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 95 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 36 ns |
| 首抽头延迟 | 36 ns | 供电电压 | 80 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 28 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V |
| 平均正向功率 | 120 W | 最大功耗 | 120 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V | 导通电阻（最大） | 28 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 35 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±16 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1890 pF@ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 39 A | ||
机械参数
| 宽度 | 2.39mm | 高度 | 6.22mm |
| 长度 | 6.73mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-252-3 |
| 包装数量 | DPAK | 尺寸/外形 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm |
产品信息
| 类型 | HEXFET Power MOSFET | 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 卡标准 | 功率 MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||
文档与媒体
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