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IRLML6402TRPBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET , 3.7 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | 栅极电荷 | 8 nC |
| 开通延迟时间 | 350 ns | 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 588 ns |
| 供电电压 | 20 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 65 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V | 平均正向功率 | 1.3 W |
| 最大功耗 | 1.3 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 导通电阻（最大） | 65 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±12 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 633 pF@ 10 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.7 A |
机械参数
| 宽度 | 1.4mm | 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | SOT-23-3 |
| 包装数量 | SOT-23 | 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
产品信息
| 系列 | HEXFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
