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IRFHS8242TRPBF
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET , 21 A, Vds=25 V, 6针 PQFN封装 MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 4000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 5.3 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 4.3 nC | 开通延迟时间 | 6.5 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 19 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 5.4 ns |
| 首抽头延迟 | 5.4 ns | 供电电压 | 25 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 21 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V |
| 平均正向功率 | 2.1 W | 最大功耗 | 2.1 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V | 导通电阻（最大） | 17 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 19 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.5 ns | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 653 pF @ 10 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21 A | ||
机械参数
| 宽度 | 2.1mm | 高度 | 0.95mm |
| 长度 | 2.1mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 6 | 封装形式 | PQFN-6 |
| 包装数量 | PQFN | 尺寸/外形 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm |
产品信息
| 系列 | HEXFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quint Drain Dual Source | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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