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IRF7425PBF
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC Infineon , P沟道 MOSFET, 15 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 3800 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 160 ns | 最大栅源电压 Vgs | 12 V |
| 栅极电荷 | 87 nC | 开通延迟时间 | 13 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间(典型) | 20 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 230 ns |
| 首抽头延迟 | 230 ns | 供电电压 | 20 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 8 mΩ | Vgs(th)(最大)@ Id | 1.2V |
| 平均正向功率 | 2.5 W | 最大功耗 | 2500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | - 20 V | 导通电阻(最大) | 8.2 mOhms |
| 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | ±12 V | 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 13 ns |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 7980 pF@ 15 V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 15 A |
机械参数
| 宽度 | 4mm | 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC | 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |
产品信息
| 类型 | HEXFET Power MOSFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
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