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DMN2004K-7
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS-FET+ESD 20V 1,5A SOT23 MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 MOSFET 20V 540mA MOSFET, N CH, 20V, 0.54A, SOT-23 |
| 分类 |
商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | DMN2004KDICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±8 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 350mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 350 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间（典型） | 37.6 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 59.4 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.6V | 最大额定电流 | :540mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :550mohm | 触点电压（最大） | :20V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 550@4.5V mOhm | 最大功耗 | :350mW |
| 传播延迟（最大） | 8.4 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 漏电流（最大） | 0.63 A | 每端口功率（瓦） | 0.35W |
| 导通电阻（最大） | 0.55 ohm | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 20V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 5.7 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.63 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 8 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 150pF @ 16V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 630mA (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.3 | 重量 | 0.000008 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 | 冷却的封装 | SOT-23 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 2.9 |
| 包装数量 | SOT-23 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N-CHANNEL | 匹配码 | DMN2004K |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 标准交期 | 11 weeks | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||