芯天下
BSS138-7-F

点击放大查看

BSS138-7-F

制造商
Diodes Incorporated
描述Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS-FET 0,20A 50V SOT23 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 MOSFET 300mW 50V DSS MOSFET, N CH, 50V, 0.2A, SOT23-3 MOSFET N, 50 V 0.2 A 0.2 W SOT-23, BSS138-7-F, Diodes Incorporated
分类

商业参数

最小起订量3000单位包装3000
其他名称BSS138-FDICT产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
海关税号85412100抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率300mW
噪声系数Not Required dB额定功率300 mW
额定输出功率Not Required dB最大频率Not Required MHz
晶体管类型N-Channel首抽头延迟20 ns
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 250µA
击穿电压50 V阈值电压:1.2V
最大额定电流:200mA导通电阻 RDS(On):1.4ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3500@10V mOhm最大功耗:300mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic50 V漏电流(最大)0.2 A
每端口功率(瓦)0.3W导通电阻(最大)3.5 ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)50V开关时间(Ton, Toff)(最大)20(Max) ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %漏源电压(Vdss)50V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.2 A栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)0.2A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds50pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C200mA (Ta)

机械参数

重量0.000008包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:3封装形式3SOT-23
冷却的封装SOT-23材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
位数3供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

类型Small Signal极性N-CHANNEL
匹配码BSS138通道类型Enhancement
配置Single标准交期11 weeks

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

ds30144.pdf
BSS138 Datasheet