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合规参数
| 零件状态 | Obsolete | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V | 最大功耗 | 2.5W (Ta) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3100 pF @ 8 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 4.5V, 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 11A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die | 供应商器件封装 | Die |
产品信息
| 制造商 | Central Semiconductor Corp | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
环境参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | ||