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cigen-IPB13

IPB13 transistor 系列

Infineon Technologies AG

Infineon Technologies AG

N-channel MOSFETs for power management in various voltage and current ranges

系列图片（4 张）

文档与媒体

IPP139N08N3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8a77e3656c2

IPB13N03LB_Rev0.93_G.pdf

IPP139N08N3_Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8a77e3656c2

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IPB13 transistor - 型号列表

共 8 个型号

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	安装类型	最大栅源电压 Vgs	工作温度	标准包装数量	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	最大功耗	封装形式	击穿电压	峰值脉冲电流（10/1000µs）	通道类型	FET类型	FET特性	最大功率	Vgs(th)（最大）@ Id	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	漏源电压（Vdss）	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	连续漏极电流（Id）@ 25°C	包装方式	供应商器件封装	标准封装名称	欧盟RoHS	元件数量	导通电阻（最大）	宽度	插片宽度	引脚样式	总长度	包装数量	位数	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	其他名称	RoHS	首抽头延迟	商标名	零件号别名	工厂包装数量	海关税号	额定功率	晶体管类型	阈值电压	最大额定电流	导通电阻 RDS(On)	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	栅极触发电压 Vgt (最大)	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	重量	引脚数	材料表面处理	系列	配置	下降时间（典型）	传播延迟（最大）	开关时间（Ton, Toff）（最大）
4 IPB136N08N3 G MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 MOSFET, N CH, 45A, 80V, PG-TO263-3 MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3 Infineon Technologies	10	¥2.74	MOSFET	Surface Mount	:10V	- 55 C	1,000	13.6 mOhm @ 45A, 10V	:79W	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	79W	3.5V @ 33µA	25nC @ 10V	80V	1730pF @ 40V	45A	Tape & Reel (TR)	PG-TO263-2	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	IPB136N08N3 GCT	Lead free / RoHS Compliant	18 ns	OptiMOS	IPB136N08N3GATMA1 SP000447512	1000	85412900	79 W	N-Channel	:2.8V	:45A	:11.5mohm	80 V	+/- 20 V	45 A	0.002	:3	:MSL 1 - Unlimited	IPB136N08	Single	-	-	-
IPB13N03LB G MOSFET N-CH 30V 30A MOSFET N-CH 30V 30A TO-263 Infineon Technologies	0		-	Surface Mount	-	-	1,000	12.5 mOhm @ 30A, 10V	-	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	52W	2V @ 20µA	11nC @ 5V	30V	1355pF @ 15V	30A (Tc)	Tape & Reel (TR)	P-TO263-3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	IPB13N03LBGINDKR	Lead free / RoHS Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB136N08N3G Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263 infineon technologies	0		-	Surface Mount	±20 V	-55 to 175 °C	Tape & Reel	13.9@10V mOhm	-	3TO-263	80 V	45 A	Enhancement	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	18 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	5 ns	35 ns	12 ns
IPB13N03LBGXT Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Infineon Technologies AG	0		-	Surface Mount	±20	175	-	-	52000	-	30	30	N	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	D2PAK	Compliant	1	12.5@10V	9.25	Tab	Gull-wing	10	TO-263	3	4.4	2	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB13N03LBNT Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Infineon Technologies AG	0		-	Surface Mount	±20	175	-	-	52000	-	30	30	N	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	D2PAK	Not Compliant	1	12.5@10V	9.25	Tab	Gull-wing	10	TO-263	3	4.4	2	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB136N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Infineon Technologies AG	10	¥4.14	-	Surface Mount	±20	175	-	-	79000	-	80	45	N	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	D2PAK	Compliant	1	13.9@10V	9.45(Max)	Tab	Gull-wing	10.31(Max)	TO-263	3	4.57(Max)	2	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB13N03LB MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK Infineon Technologies	0		-	Surface Mount	-	-	1,000	12.5 mOhm @ 30A, 10V	-	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	52W	2V @ 20µA	11nC @ 5V	30V	1355pF @ 15V	30A (Tc)	Tape & Reel (TR)	P-TO263-3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB13N03LBG Infineon	999	¥2.95	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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