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IPB136N08N3 G
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 MOSFET, N CH, 45A, 80V, PG-TO263-3 MOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| 分类 |
商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 其他名称 | IPB136N08N3 GCT |
| 零件号别名 | IPB136N08N3GATMA1 SP000447512 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | :10V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 79W |
| 额定功率 | 79 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 18 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 33µA |
| 阈值电压 | :2.8V | 最大额定电流 | :45A |
| 导通电阻 RDS(On) | :11.5mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 13.6 mOhm @ 45A, 10V |
| 最大功耗 | :79W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 45 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1730pF @ 40V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45A |
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 | ||
产品信息
| 系列 | IPB136N08 | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||