GB10SLT12 semiconductor 系列
GeneSiC Semiconductor, Inc.高压硅 carbide Schottky 整流二极管
GeneSiC Semiconductor 的 GB10SLT12 系列是一款高压硅 carbide （SiC）肖特基二极管系列产品，专为高效功率整流设计。这些二极管适用于需要高开关频率和低导通损耗的应用，例如逆变器、DC/DC 转换器和可再生能源系统。如果您正在开发高功率因数校正电路或快速充电系统，由于其较低的正向压降和优于传统硅二极管的优异热稳定性，这些二极管可以显著提升性能。值得注意的是，当工程师们需要优化设计效率并减少热耗散时，往往会选用这种二极管。其高击穿电压和快速开关能力使其特别适合于汽车充电站和工业电源供应。
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常见问答
GB10SLT12 semiconductor - 型号列表
共 5 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 产品 | RoHS | 包装方式 | 工厂包装数量 | 供电电压 | 封装形式 | 系列 | 二极管类型 | 工作温度 | 标准包装数量 | 海关税号 | 转速 | 测试电流 | 电容 @ Vr, F | 二极管配置 | 最小输入电压 | 电压负载调整率 | 反向恢复时间（trr） | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 反向漏电流 @ Vr | 直流反向电压（Vr）（最大） | 平均整流电流 Io | 反向关断电压（典型） | LED触发电流（最大） | 重量 | 安装类型 | 安装样式 | 引脚数 | 材料表面处理 | 供应商器件封装 | 热阻 | 结工作温度 | 技术 | 制造商全称 | 最大功耗 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 平均正向功率 | 直流正向电流（If）（最大） | 配置 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC DIODE, SIC, RECTIF, 1200V, 10A, TO-220 GeneSiC Semiconductor | 17 | 1: ¥97.24 | - | Schottky Silicon Carbide Diodes | RoHS Compliant | Tube | 50 | 1.9 V | TO-220-2 | GB10SLT12 | Silicon Carbide Schottky | - 55 C to + 175 C | 50 | 85411000 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 1200V | 520pF @ 1V, 1MHz | :Single | 2V @ 10A | 1200 V | 0ns | 65 A | 52 uA | 1200V (1.2kV) | 10A | :1.2kV | :10A | 0.002 | Through Hole | Through Hole | :2 | :- | TO-220AC | 0.8°C/W Jc | -55°C ~ 175°C | - | - | 42 W | 10 A | - | - | - |
 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier DIODE, SIC, RECTIF, 1200V, 10A, TO-247 GeneSiC Semiconductor | 10 | 1: ¥66.368 | - | Schottky Silicon Carbide Diodes | RoHS Compliant | Bulk | - | :1.8V | - | GB10SLT12 | :Schottky | :-55°C | - | 85411000 | - | - | - | :Single | - | - | - | - | - | - | - | :1.2kV | :10A | 0.00542 | - | - | :2 | :- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect. GeneSiC Semiconductor | 693 | 1: ¥97.24 | - | Schottky Silicon Carbide Diodes | RoHS Compliant | Tube | 75 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | GB10SLT12 | Silicon Carbide Schottky | - | 75 | - | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 1200V | 520pF @ 1V, 1MHz | - | 2V @ 10A | - | 0ns | - | - | 1200V (1.2kV) | 10A | - | - | - | Surface Mount | - | - | - | TO-252 | 0.8°C/W Jc | -55°C ~ 175°C | SiC | GeneSiC Semiconductor | - | - | - | - | - |
 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 24A SiC Schottky Rectifier GeneSiC Semiconductor | 191 | 1: ¥56.644 | - | Schottky Silicon Carbide Diodes | RoHS Compliant | Tube | 30 | 1.6 V | TO-247-3 | - | - | - 55 C | - | - | - | - | - | - | - | 1.2 kV | - | 32 A | 5 uA | - | - | - | - | - | - | Through Hole | - | - | - | - | - | SiC | GeneSiC Semiconductor | - | - | 234 W | 24 A | Single |
 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |