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GB10SLT12-252
| 制造商 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect. |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes | 标准包装数量 | 75 |
| 工厂包装数量 | 75 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 转速 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 测试电流 | 40µA @ 1200V |
| 电容 @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz | 最小输入电压 | 2V @ 10A |
| 反向恢复时间（trr） | 0ns | 直流反向电压（Vr）（最大） | 1200V (1.2kV) |
| 平均整流电流 Io | 10A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
产品信息
| 系列 | GB10SLT12 | 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| 技术 | SiC | 制造商全称 | GeneSiC Semiconductor |
环境参数
| 热阻 | 0.8°C/W Jc | 结工作温度 | -55°C ~ 175°C |