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SIHD7N60E-E3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 7A TO-252 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 单位包装 | 3000 | 零件号别名 | SIHD7N60E |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 78W | 晶体管类型 | N-Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 40nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 680pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-PAK (TO-252AA) | ||
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||