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SIHP24N65E-E3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB MOSFET N-Channel 650V 24A TO220AB MOSFET, N CH, 650V, 24A, TO-220AB |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | SIHP24N65EE3 | 标准包装数量 | 1,000 |
| 标准封装名称 | TO-220 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85044090 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 250W |
| 晶体管类型 | :N Channel | 首抽头延迟 | 70 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 V | 阈值电压 | :2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.12ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| 最大功耗 | 250 W | 导通电阻（最大） | 0.145 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 122nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 24 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 24 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2740pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 24A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4.65mm | 高度 | 15.49mm |
| 长度 | 10.51mm | 重量 | 0.00195 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 安装类型 | Through Hole | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | TO-220-3 | 冷却的封装 | TO220AB |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 10.41(Max) |
| 包装数量 | TO-220AB | 尺寸/外形 | 10.51 x 4.65 x 15.49mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 9.01(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||