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SIHP21N65EF-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB MOSFET 650V 180mOhms@10V 21A N-Ch EF-SRS MOSFET 650V Vds +/-30V Vgs Rds(On) 0.18@10V |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 68 ns |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 106 nC |
| 最大功率 | 208W | 额定功率 | 208 W |
| 上升时间（典型） | 34 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 68 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 700 V |
| 电流传输比（最小） | 7 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 106nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 21 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2322pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.7 mm | 高度 | 15.49 mm |
| 长度 | 10.41 mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 系列 | EF | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
在线文档