点击放大查看
SIHB30N60E-E3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-Channel 600V MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 250W | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 130nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2600pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 29A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 供应商器件封装 | D²PAK (TO-263) |
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | ||
文档与媒体
PDF 文档