点击放大查看
SIHB23N60E-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 23A D2PAK MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 34 ns |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 95 nC |
| 最大功率 | 227W | 额定功率 | 227 W |
| 上升时间（典型） | 38 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 66 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 12A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 电流传输比（最小） | 6.4 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 95nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 23 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2418pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 23A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.65 mm | 高度 | 4.83 mm |
| 长度 | 10.67 mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 供应商器件封装 | D²PAK (TO-263) |
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
在线文档