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SI5435BDC-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin Chip FET T/R MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.9A, 1206 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI5435BDC-T1-GE3CT | 零件号别名 | SI5435BDC-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | Chip FET |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :8V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.3W | 额定功率 | 1.3 W |
| 上升时间（典型） | 12 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 32 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 击穿电压 | 30 |
| 阈值电压 | :-3V | 导通电阻 RDS(On) | :80mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.3A, 10V | 最大功耗 | 1300 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 45@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.3 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.3 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4.3A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.65 | 重量 | 0.00001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead | 总长度 | 3.05 |
| 包装数量 | Chip FET | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.1(Max) | 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档