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SI4947ADY-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET P-CH DUAL 30V 3.0A 8-SOIC SI4947ADY-T1-E3, Dual P-channel MOSFET Transistor 3.9A 30V, 8-Pin SOIC MOSFET 30V 3.9A 2W MOSFET, DUAL P, SO-8 MOSFET;SO8Dual30VP-CH,4.5VRated |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 其他名称 | SI4947ADY-T1-E3CT |
| 零件号别名 | SI4947ADY-E3 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85322300 | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.2W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 2 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 8ns | 下降时间（典型） | 10 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 上升时间（典型） | 9 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 关断延迟时间 | 21ns |
| 首抽头延迟 | 21 ns | 供电电压 | -1.2V |
| 元件数量 | 2 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 二极管配置 | :SOIC | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :-1V | 最大额定电流 | :-3A |
| 导通电阻 RDS(On) | :62mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 80@10V mOhm |
| 最大功耗 | 2 W | 传播延迟（最大） | 9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 漏电流（最大） | 3.9 A |
| 导通电阻（最大） | 0.08 Ω | 电流传输比（最大） | 5S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8nC @ 5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3.9 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3A |
机械参数
| 宽度 | 4mm | 高度 | 1.55mm |
| 长度 | 5mm | 重量 | 0.000001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 极化 | P-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SOIC N |
| 冷却的封装 | SOIC N | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 5(Max) | 包装数量 | SOIC N |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.55mm | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.55(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | P | 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Dual, Dual Drain |
| 模块/板类型 | :Dual | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 自然散热热阻 | 87°C/W |
文档与媒体
PDF 文档
