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+TEMT1040
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistor IR Chip Silicon 950nm 2-Pin SMD T/R Phototransistors 5V 100mW 880nm PHOTOTRANSISTOR AXIAL LEADS PHOTOTRANSISTOR SMD |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 产品 | Phototransistors |
| 单位包装 | 1000 | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | SMD | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | ||
电气参数
| 下降时间 | 2.3 us | 波长 | 880 nm |
| 灵敏度 | 880nm | 滤波器阶数 | Visible Cut-off |
| 感应角度 | 30 ° | 感应范围 | 730nm |
| 视角 | Top View | 上升时间（典型） | 2 us |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 供电电压 | 70 V |
| 峰值波长 | 950 nm | 通道数量 | 1 |
| 暗电流（最大） | 200 nA | 最大额定电流 | 7000(Typ) |
| Vce饱和电压（最大） | 0.3 V | 最小输入电压 | 5 V |
| 最大功耗 | 100 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 70V |
| 暗电流 Id（最大） | 200nA | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 5V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 50 mA | 集电极截止电流（最大） | 100 mA |
机械参数
| 宽度 | 2 | 包装方式 | Bulk |
| 透镜样式 | Domed | 透镜尺寸（因值为长宽高，非直径） | 1.91 mm |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | 2SMD |
| 总长度 | 2.5 | 包装数量 | SMD |
| 位数 | 2 | 外壳尺寸-插件 | 2.7 |
产品信息
| 类型 | IR Chip | 极性 | NPN |
| 匹配码 | TEMT1040 | 标准交期 | 7 weeks |
| 其他规格 | SMD | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | 结工作温度 | -40°C |