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TEKT5400S
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin Phototransistors 37 Degree 150mW PHOTOTRANSISTOR SIDEVIEW,FILTER PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE VIEW TRANSISTOR PHOTO NPN 920NM, SIDE LOOKING Vishay 日光 光电晶体管 , ±37 °半感光角度, 850 → 980 nm 侧面 封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2000 | 产品 | Phototransistors |
| 单位包装 | 2000 | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | Bulk | 工厂包装数量 | 2000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 | 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 波长 | 920 nm | 最大功率 | 150mW |
| 灵敏度 | 920nm | 滤波器阶数 | Visible Cut-off |
| 额定功率 | 0.15 W | 感应角度 | 74 ° |
| 感应范围 | 850nm | 视角 | Side View |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 供电电压 | 70 V |
| 峰值波长 | 920 nm | 通道数量 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 暗电流（最大） | 100 nA |
| 暗电流（典型值） | 100 nA | 最大额定电流 | 4000 |
| Vce饱和电压（最大） | 0.3 V | 最小输入电压 | 7 V |
| 上升/下降时间（典型） | 6ns | 平均正向功率 | :150mW |
| 最大功耗 | 150 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 70V |
| 暗电流 Id（最大） | 100nA | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 7V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100 mA | 集电极截止电流（最大） | 0.1 A |
| LED触发电流（最大） | 4000 uA | ||
机械参数
| 宽度 | 2.65 | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Bulk | 透镜样式 | Domed |
| 方向 | Side View | 透镜尺寸（因值为长宽高，非直径） | 3 mm |
| 安装类型 | Through Hole | 引脚数 | :2 |
| 封装形式 | SIDEVIEW | 总长度 | 5 |
| 位数 | 2 | 外壳尺寸-插件 | 5 |
产品信息
| 类型 | IR Chip | 系列 | * |
| 已删除 | Compliant | 极性 | NPN |
| 匹配码 | TEKT5400S | 标准交期 | 6 weeks |
| 其他规格 | THT | 印刷电路板数量 | 2 |
| 有铅工艺兼容 | :Yes | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | 结工作温度 | -40°C |
文档与媒体
PDF 文档
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