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IRFL9110PBF
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 IRFL9110PBF, P-channel MOSFET Transistor 1.1A 100V, 4-Pin SOT-223 MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223 MOSFET, P CH, 100V, 1.1A, SOT-223 MOSFET,Power;P-Ch;VDSS-100V;RDS(ON)1.2Ohms;ID-1.1A;SOT-223;PD3.1W;VGS+/-2 Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; 3.1W; SOT223 MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay Vishay , P沟道 MOSFET, 1.1 A, Vds=100 V, 3+Tab针 SOT-223封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 4000 | 单位包装 | 80 |
| 标准包装数量 | Bulk, Rail / Tube | 标准封装名称 | SOT-223 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 2W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 2 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 开通延迟时间 | 10ns |
| 下降时间（典型） | 17 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :P Channel | 关断延迟时间 | 15ns |
| 首抽头延迟 | 15 ns | 供电电压 | -5.5V |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 100 V | 阈值电压 | :-4V |
| 最大额定电流 | :-1.1A | 导通电阻 RDS(On) | :1.2ohm |
| 触点电压（最大） | :-100V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1200@10V mOhm |
| 最大功耗 | 2 W | 传播延迟（最大） | 27 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V | 漏电流（最大） | 1.1 A |
| 导通电阻（最大） | 1.2 Ω | 电流传输比（最大） | 0.82S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7nC @ 10V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | :8.8A |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.1 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.1 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 200pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.1A (Tc) | ||
机械参数
| 深度 | :7.3mm | 宽度 | 3.7mm |
| 高度 | 1.45mm | 长度 | 6.7mm |
| 重量 | 0.0002 | 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 极化 | P-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 4SOT-223 | 冷却的封装 | SOT-223 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 6.7(Max) |
| 包装数量 | SOT-223 | 尺寸/外形 | 6.7 x 3.7 x 1.45mm |
| 胶带最大宽度 | :12mm | 位数 | 4 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.8(Max) - 0.061 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品信息
| SPG | 160 | 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant | 极性 | P |
| SMD标记 | :FL9110 | 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Dual Drain, Single |
| 单元数量 | 1 | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 测试温度 | :25°C | 热阻 | :60°C/W |
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 结工作温度 | +150°C |
文档与媒体
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