芯天下
BPW77NA

点击放大查看

BPW77NA

制造商
Vishay Intertechnology, Inc.
描述Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Phototransistors 10 Degree 250mW PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 PHOTOTRANSISTOR, NPN, 3-TO-18 Phototransistor; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Vishay 红外+可见光 光电晶体管 , ±10 °半感光角度, 450 → 1080 nm, TO-18 封装
分类

商业参数

产品Phototransistors其他名称751-1020
产品类别Phototransistors标准包装数量Bulk, Tape & Reel
工厂包装数量1000标准封装名称TO-18

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85369010

电气参数

波长850 nm最大功率250mW
传感器类型phototransistor电流 - UL10mA
感应角度20 °视角Top View
上升时间(典型):6µs晶体管类型Phototransistor
供电电压70 V峰值波长850 nm
通道数量1暗电流(最大)100 nA
暗电流(典型值):50mA最大额定电流15000
Vce饱和电压(最大)0.15 V最小输入电压70
平均正向功率:250mW最大功耗250 mW
暗电流 Id(最大)100nA集电极电流(Ic)(最大)50 mA
集电极截止电流(最大)50 mA

机械参数

重量0.001包装方式Bulk
引脚样式Through Hole透镜样式Domed
方向Top View透镜尺寸(因值为长宽高,非直径)4 mm
透镜材料transparent安装类型Through Hole
引脚数:3封装形式3TO-206AA
包装数量TO-206AA尺寸/外形see
外径5.5位数3
外壳尺寸-插件6.15

产品信息

SPG150类型IR Chip
极性NPN单元数量1
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度+ 125 C

文档与媒体

bpw77n.pdf
BPW77N
doc?81527