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BPW76B

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BPW76B

制造商
描述
Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Phototransistors NPN Phototransistor 80V 250mW 850nm PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 IR phototransistor TO-18, BPW76B, Vishay Telefunken Vishay 红外+可见光 光电晶体管 , ±40 °半感光角度, 450 → 1080 nm, TO-18 封装
分类
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商业参数

产品Phototransistors其他名称751-1019
产品类别Phototransistors标准包装数量Bulk
工厂包装数量1000标准封装名称TO-18

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

电流1.2 mA波长850 nm
最大功率250mW额定功率0.25 W
感应角度80 °视角Top View
光谱范围450 → 1080 nm上升时间(典型)6µs
晶体管类型Phototransistor供电电压70 V
峰值波长850 nm通道数量1
元件数量1暗电流(最大)100 nA
暗电流(典型值)100 nA最大额定电流1.2
Vce饱和电压(最大)0.15 V最小输入电压70
最大功耗250 mW暗电流 Id(最大)100nA
集电极电流(Ic)(最大)50 mA每极负载侧连接方式3
集电极截止电流(最大)50 mALED触发电流(最大)1200 uA
传播延迟 tpLH / tpHL(最大)5µs

机械参数

高度5.2mm直径4.7mm
包装方式Bulk引脚样式Through Hole
透镜样式Flat方向Top View
透镜尺寸(因值为长宽高,非直径)3.9 mm安装类型Through Hole
封装形式3TO-206AA冷却的封装TO-18
包装数量TO-206AA尺寸/外形4.7 x 5.2mm
外径5.5触点数3
位数3外壳尺寸-插件6.15

产品信息

类型Chip已删除Compliant
极性NPN印刷电路板数量3
入射角(AOI)80 °

环境参数

工作温度+ 125 C

文档与媒体

PDF 文档