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BPW16N

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BPW16N

制造商
描述
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4 Phototransistors NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm PHOTOTRANSISTOR NPN 1.8MM CLEAR PHOTOTRANSISTOR, NPN, T-3/4
分类
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商业参数

最小起订量5000产品Phototransistors
单位包装1000其他名称751-1010
产品类别Phototransistors标准包装数量Bulk
工厂包装数量5000标准封装名称T-3/4

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85414090抗辐射加固No

电气参数

波长825 nm最大功率100mW
额定功率0.1 W感应角度80 °
视角Top View上升时间(典型):4.8µs
晶体管类型Phototransistor供电电压32 V
峰值波长825 nm通道数量1
元件数量1暗电流(最大)200 nA
暗电流(典型值)200 nA最大额定电流140(Typ)
Vce饱和电压(最大)0.3 V最小输入电压5 V
平均正向功率:100mW最大功耗100 mW
暗电流 Id(最大)200nA集电极电流(Ic)(最大)50 mA
集电极截止电流(最大)50 mALED触发电流(最大)140 uA

机械参数

宽度2.4重量0.001
包装方式Bulk透镜颜色Water Clear
透镜样式Flat方向Top View
透镜尺寸(因值为长宽高,非直径)1.8 mm安装类型Through Hole
引脚数:2封装形式2T-3/4
冷却的封装T-3/4总长度3.3
包装数量T-3/4位数2
外壳尺寸-插件2.2

产品信息

类型Chip已删除Compliant
极性NPN透镜类型Water Clear
印刷电路板数量2

环境参数

工作温度+ 100 C

文档与媒体

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