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TH58BYG2S3HBAI6
| 制造商 | |
| 描述 | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 338 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 接口 | Parallel | 存取时间 | 25 ns |
| 存储器容量 | 4 Gbit | 供电电压 | 1.8 V |
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | BGA-63 | ||
产品信息
| 系列 | TH58BYG2S3 | 制造商全称 | Toshiba |
环境参数
| 工作温度 | - 40 C | ||