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TC58NVG1S3HBAI6

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TC58NVG1S3HBAI6

制造商
描述
2GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (E EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
分类
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商业参数

工厂包装数量338

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

接口Parallel存储器容量2 Gbit
供电电流30 mA供电电压3.6 V

机械参数

包装方式Tray安装样式SMD/SMT
封装形式VFBGA-67

产品信息

系列TC58NVG1S3制造商全称Toshiba

环境参数

工作温度- 40 C to + 85 C