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GT30J341,Q(O
| 制造商 | |
| 描述 | Toshiba , N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3针 TO-3P封装 |
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电气参数
| 频率 | 0.4µs | 晶体管类型 | 单 |
| 供电电压 | 600 V | 最大功耗 | 230 W |
| 集电极截止电流（最大） | 59 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±25V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2900pF | ||
机械参数
| 宽度 | 4.5mm | 高度 | 20mm |
| 长度 | 15.5mm | 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数 | 3 | 包装数量 | TO-3PN |
| 尺寸/外形 | 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | N |
| 其他规格 | 0.8mJ | ||
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||