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TSM3443CX6 RF
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin SOT-26 T/R MOSFET P-Channel 20V 4.7A SOT26 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准封装名称 | SOT-26 | ||
合规参数
| RoHS | Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | 额定功率 | 2 W |
| 首抽头延迟 | 70 ns | 元件数量 | 1 |
| 击穿电压 | -20 V | 最大功耗 | 2 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 100 mΩ |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC V @ -4.5 | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | -4.7 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 640 pF V @ -10 | ||
机械参数
| 宽度 | 1.7mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 3.1mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 冷却的封装 | SOT-26 |
| 总长度 | 2.9 | 包装数量 | SOT-26 |
| 尺寸/外形 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.1(Max) | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||