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STS4DPF20L
| 制造商 | STMicroelectronics N.V. |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SO N T/R MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC STS4DPF20L, Dual N-channel MOSFET Transistor 4A 20V, 8-Pin SO MOSFET P-Ch 20 Volt 4 Amp MOSFET P CH DUAL 20V 4A 8-SOIC STMicroelectronics , 双 P沟道 MOSFET, 4 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 497-8042-1 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423300 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 35 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 35 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 125 ns | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.6V | 最大额定电流 | :4A |
| 导通电阻 RDS(On) | :70mohm | 触点电压（最大） | :20V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 80@10V mOhm | 最大功耗 | 2 W |
| 传播延迟（最大） | 35 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 0.08 Ω | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 16 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1350pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A | ||
机械参数
| 宽度 | 4mm | 高度 | 1.25mm |
| 长度 | 5mm | 重量 | 0.002998 oz |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SO N | 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N | 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.25mm |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 通道类型 | P | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain | 模块/板类型 | :Dual |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||