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M48Z35Y-70PC1
| 制造商 | |
| 描述 | NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin PCDIP Tube ZEROPOWER SRAM 32KX8 70NS DIP28 IC NVSRAM 256KBIT 70NS 18DIP M48Z35Y-70PC1, NVRAM Memory 256kbit Through Hole, 4.5 to 5.5V, 0 to +70°C, 28-Pin, PCDIP NVRAM 256K (32Kx8) 70ns NVRAM, 10 YR BATTERY 256K, 48Z35 Memory;256Kbit;4.5to5.5V;70;PCDIP28;0.8V(Max.);2.2V(Min.);0;70 NV-RAM 32 k x 8 Bit PCDIP-28, M48Z35Y-70PC1, ST , 256kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 28针 PCDIP封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 120 | 单位包装 | 12 |
| 产品类别 | NVRAM | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 12 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423245 |
| 汽车级 | NO | 零件状态 | :48Z35 |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 转速 | 70ns | 存储器 | :32K x 8bit |
| 接口 | Parallel | 复位时间 | :10Yr |
| 存取时间 | 70ns | 存储器容量 | 256K (32K x 8) |
| 存储器类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | 偏置电流 | 50mA |
| VCCB电压 | :5V | 额定电压 | 4.5 V |
| 数据转换器 | 10yrs. | 电池节数 | 1 |
| 输出电流 | 50 mA | 供电电压 | 5 V |
| 漏电流 | ±1μA | 输出电压4 | 0.4V |
| 输入电容值 | 10pF | 电容 @ Vr, F | 10pF |
| 最大额定电流 | 50 | 最小输入电压 | 5.5V |
| 上升/下降时间（典型） | ≤5ns | 最小供电电压 | 5.5 V |
| 最大功耗 | 1W | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | ≤5ns |
| 平均整流电流 Io | 50 mA | 共模瞬态抗扰度（最小） | Commercial |
机械参数
| 宽度 | 18.34mm | 高度 | 8.89mm |
| 长度 | 39.88mm | 重量 | 0.0062 |
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | :28 |
| 封装形式 | 28PCDIP | 冷却的封装 | PCDIP |
| 材料表面处理 | :- | 总长度 | 39.88(Max) |
| 包装数量 | PCDIP | 尺寸/外形 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm |
| 位数 | 28 | 外壳尺寸-插件 | 8.89(Max) |
| 供应商器件封装 | 28-PCDIP, CAPHAT® | 核心数/总线宽度 | 8 Bit |
产品信息
| 类型 | NVSRAM | 已删除 | Compliant |
| 密度 | 256 Kb | 产品特性 | :Internal Battery |
| 基本单元 | :48 | 匹配码 | M48Z35Y-70PC1 |
| 制造商全称 | 32Kx8 | 存储器格式 | RAM |
| 总线连接 | Parallel | 标准交期 | 15 weeks |
| 印刷电路板数量 | 28 | ||
环境参数
| 温度范围 | :Commercial | 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 最高温度限值 | 70°C | 自然散热热阻 | 0°C |
