点击放大查看
L6386ED013TR
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-14 SMD IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC Gate Drivers High Volt High Low Driver DRIVER, MOTOR, DUAL, 46V, 0.75A, 24SO STMicroelectronics L6386ED 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 半桥, 14针 SOIC封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 产品 | H-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 2500 | 其他名称 | 497-6216-2 |
| 产品类别 | Gate Drivers | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423300 |
| 汽车级 | NO | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 下降时间 | 30 ns | 频率 | 0.4 MHz |
| 延迟时间 | 110ns | 输入类型 | Non-Inverting |
| 额定功率 | 0.75 W | 开通延迟时间 | 0.15 us |
| 最大频率 | 0.4 MHz | 上升时间（典型） | 50(Typ) ns |
| 输出电流 | 650 mA | 关断延迟时间 | 0.00015 ms |
| 驱动电路 | High and Low Side | 供电电压 | 17V |
| 输出数量 | 2 | 峰值输出电流 | 0.65 A |
| 最小输入电压 | 600V | 最小供电电压 | 17 V |
| 输入逻辑低电平 | CMOS/TTL | 最大功耗 | 750 mW |
| 传播延迟时间 | 150 ns | 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL |
| 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN | 传播速度（VoP） | 17V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA | 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns | 高侧电压（自举）最大 | 600V |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 150 | ||
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.003 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 封装体颜色 | :SOIC |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :14 |
| 封装形式 | 14SOIC | 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 8.75(Max) |
| 包装数量 | SOIC | 位数 | 14 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) | 供应商器件封装 | 14-SO |
产品信息
| 类型 | Non-Inverting | 匹配码 | L6386ED013TR |
| 配置 | High and Low Side, Independent | 模块/板类型 | :High Side, Low Side |
| 驱动器数量 | 2 | 标准交期 | 13 weeks |
| 电机类型 - AC, DC | Half Bridge | 印刷电路板数量 | 14 |
| 配置数 | 1 | ||
环境参数
| 工作温度 | -45 to 125 °C | 结工作温度 | -45°C |
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档
PDF 文档
