点击放大查看
L6386E
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin PDIP Tube Power Driver ICs Hi-Vltg and Lo Side Driver HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-14 THT IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-DIP L6386E, Dual MOSFET Power Driver 0.65A Half Bridge, Non-Inverting, Maximum of 17V, 14-Pin PDIP Gate Drivers Hi-Vltg and Lo Side Driver |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 产品 | H-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 25 | 其他名称 | 497-6215-5 |
| 产品类别 | Power Driver ICs | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | PDIP | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
| 故障保护 | NANY/N/NA/NAN | ||
电气参数
| 下降时间 | 30 ns | 延迟时间 | 110ns |
| 输入类型 | Non-Inverting | 最大频率 | 400 |
| 上升时间（典型） | 50(Typ) ns | 驱动电路 | High and Low Side |
| 供电电压 | 17V | 输出数量 | 2 |
| 峰值输出电流 | 0.65 A | 最小输入电压 | 600V |
| 最小供电电压 | 17 V | 最大功耗 | 750 mW |
| 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL | 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 传播速度（VoP） | 17V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns |
| 高侧电压（自举）最大 | 600V | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 150 |
机械参数
| 宽度 | 7.1mm | 高度 | 5.1mm |
| 长度 | 20mm | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | 14PDIP |
| 冷却的封装 | PDIP | 包装数量 | PDIP |
| 尺寸/外形 | 20 x 7.1 x 5.1mm | 位数 | 14 |
| 供应商器件封装 | 14-DIP | ||
产品信息
| 类型 | High Side/Low Side | 匹配码 | L6386E |
| 配置 | Non-Inverting | 驱动器数量 | 2 |
| 标准交期 | 13 weeks | 电机类型 - AC, DC | Half Bridge |
| 配置数 | 1 | ||
环境参数
| 工作温度 | -45 to 125 °C | 结工作温度 | -40°C |
