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L6385ED

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L6385ED

制造商
描述
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC L6385ED, Dual MOSFET Power Driver 0.65A Half Bridge, Non-Inverting, Maximum of 17V, 8-Pin SOIC Gate Drivers HV H-Bridge driver DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC Driver; MOSFET; 400mA; 600V; 750mW; Outputs:2; SO8 Driver; high/low side; -3÷600V; SO8 Driver IC SOIC-8, L6385ED, ST STMicroelectronics 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 半桥, 非反相, 8针 SOIC封装
分类
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商业参数

最小起订量2000产品Half-Bridge Drivers
单位包装100产品类别Gate Drivers
标准包装数量Rail / Tube工厂包装数量100
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423300
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

下降时间30 ns频率0.4 MHz
延迟时间110ns输入类型Non-Inverting
开启时间110ns额定功率0.75 W
额定电压600V最大频率0.4 MHz
上升时间(典型)50(Typ) ns输出电流400mA
供电电流250µA关断延迟时间105ns
驱动电路High and Low Side供电电压17V
输出数量2峰值输出电流0.65 A
最小输入电压600V最小供电电压17 V
输入逻辑低电平CMOS/TTL最大功耗750 mW
传播延迟时间110 ns输入逻辑高电平CMOS|TTL
导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN传播速度(VoP)18V
峰值脉冲电流(10/1000µs)400mA漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN
最大传播延迟 @ V, 最大CL30(Typ) ns高侧电压(自举)最大600V
传播延迟 tpLH / tpHL(最大)110(Typ)

机械参数

宽度4mm高度1.25mm
长度5mm重量0.0001
包装方式Tube封装体颜色:SOIC
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:8
封装形式8SO N冷却的封装SO
材料表面处理:MSL 3 - 168 hours总长度5(Max)
包装数量SO N尺寸/外形5 x 4 x 1.25mm
位数8外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

SPG15类型High Side/Low Side
匹配码L6385ED技术MOSFET
配置Half Bridge单元数量1
模块/板类型:High Side, Low Side驱动器数量2
标准交期13 weeks使用的IC/零件high/low side
电机类型 - AC, DCHalf Bridge印刷电路板数量8
配置数1

环境参数

工作温度-45 to 125 °C结工作温度-45°C

文档与媒体

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