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L6385E

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L6385E

制造商
描述
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP L6385E, Dual MOSFET Power Driver 0.65A Half Bridge, Non-Inverting, Maximum of 17V, 8-Pin PDIP Gate Drivers HV H-Bridge driver DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8DIP Driver; half bridge; 400mA; -3÷600V; Channels:2; DIP8 STMicroelectronics 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 半桥, 非反相, 8针 PDIP封装
分类
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商业参数

最小起订量50产品Half-Bridge Drivers
单位包装50其他名称497-6213-5
产品类别Gate Drivers标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量50标准封装名称PDIP

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423300
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

下降时间30 ns频率0.4 MHz
延迟时间110ns输入类型Non-Inverting
额定功率0.75 W额定电压580 V
开通延迟时间110 ns最大频率0.4 MHz
上升时间(典型)50(Typ) ns输出电流250 uA
关断延迟时间105 ns驱动电路High and Low Side
供电电压17V输出数量2
通道数量2峰值输出电流0.65 A
最小输入电压600V最小供电电压17 V
输入逻辑低电平CMOS/TTL最大功耗750 mW
传播延迟时间110 ns输入逻辑高电平CMOS|TTL
导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN传播速度(VoP)18V
开关时间(Ton, Toff)(最大)105 ns峰值脉冲电流(10/1000µs)400mA
漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN最大传播延迟 @ V, 最大CL30(Typ) ns
高侧电压(自举)最大600V传播延迟 tpLH / tpHL(最大)110(Typ)

机械参数

宽度6.6mm高度3.32mm
长度10.92mm重量0.000833
包装方式Tube封装体颜色:DIP
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
安装样式Through Hole引脚数:8
封装形式8PDIP冷却的封装PDIP
材料表面处理:-总长度10.92(Max)
包装数量PDIP尺寸/外形10.92 x 6.6 x 3.32mm
位数8外壳尺寸-插件3.32
供应商器件封装8-DIP

产品信息

SPG50类型High Voltage High and Low Side Driver
匹配码L6385E配置Half Bridge
单元数量1模块/板类型:High Side, Low Side
驱动器数量2标准交期13 weeks
使用的IC/零件half bridge电机类型 - AC, DCHalf Bridge
印刷电路板数量8配置数1

环境参数

工作温度-45 to 125 °C结工作温度-25°C

文档与媒体

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