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L6384ED013TR
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC Gate Drivers HV H-Bridge driver Driver IC SOIC-8, L6384ED013TR, ST STMicroelectronics 电机控制器 L6384ED, 0.4A, 400kHz, 14.6 → 16.6 V |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 产品 | Half-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 2500 | 其他名称 | 497-6212-2 |
| 产品类别 | Gate Drivers | 标准包装数量 | Cut Tape |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
| 故障保护 | NANY/N/NA/NAN | ||
电气参数
| 下降时间 | 30 ns | 输入类型 | Inverting |
| 最大频率 | 400 | 上升时间（典型） | 50(Typ) ns |
| 输出电流 | 25 mA | 供电电流 | 25 mA |
| 驱动电路 | High and Low Side | 供电电压 | 8 V ~ 16.6 V |
| 输出数量 | 2 | 峰值输出电流 | 0.65 A |
| 最小输入电压 | 600V | 最小供电电压 | 16.6 V |
| 最大功耗 | 750 mW | 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL |
| 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns |
| 高侧电压（自举）最大 | 600V | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 300 |
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8SO N |
| 总长度 | 5(Max) | 包装数量 | SO N |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO | ||
产品信息
| 类型 | High Side/Low Side | 匹配码 | L6384ED013TR |
| 配置 | Half Bridge | 驱动器数量 | 2 |
| 标准交期 | 16 weeks | 电机类型 - AC, DC | Half Bridge |
| 印刷电路板数量 | 8 | 配置数 | 1 |
环境参数
| 工作温度 | -45 to 125 °C | 结工作温度 | -40°C |
文档与媒体
PDF 文档
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