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L6384E
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT IC DRVR HALF BRIDGE HV 8-DIP L6384E, Dual MOSFET Power Driver 0.65A Half Bridge, Maximum of 16.6V, 8-Pin PDIP Gate Drivers HV H-Bridge driver STMicroelectronics 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 半桥, 8针 PDIP封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2000 | 产品 | Half-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 50 | 其他名称 | 497-6211-5 |
| 产品类别 | Gate Drivers | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 | 标准封装名称 | PDIP |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 下降时间 | 30 ns | 频率 | 0.4 MHz |
| 输入类型 | Inverting | 额定功率 | 0.75 W |
| 额定电压 | 580 V | 开通延迟时间 | 200 ns |
| 最大频率 | 400 | 上升时间（典型） | 50(Typ) ns |
| 输出电流 | 25 mA | 供电电流 | 25 mA |
| 关断延迟时间 | 300 ns | 驱动电路 | High and Low Side |
| 供电电压 | 8 V ~ 16.6 V | 输出数量 | 2 |
| 峰值输出电流 | 0.65 A | 最小输入电压 | 600V |
| 最小供电电压 | 16.6 V | 输入逻辑低电平 | CMOS/TTL |
| 最大功耗 | 750 mW | 传播延迟时间 | 300 ns |
| 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL | 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 传播速度（VoP） | 14.6V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns |
| 高侧电压（自举）最大 | 600V | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 300 |
机械参数
| 宽度 | 6.6mm | 高度 | 3.32mm |
| 长度 | 10.92mm | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | 8PDIP |
| 冷却的封装 | PDIP | 总长度 | 10.92(Max) |
| 包装数量 | PDIP | 尺寸/外形 | 10.92 x 6.6 x 3.32mm |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 3.32 |
| 供应商器件封装 | 8-DIP | ||
产品信息
| 类型 | High Voltage Half-Bridge Driver | 匹配码 | L6384E |
| 配置 | Half Bridge | 驱动器数量 | 2 |
| 标准交期 | 13 weeks | 电机类型 - AC, DC | Half Bridge |
| 印刷电路板数量 | 8 | 配置数 | 1 |
环境参数
| 工作温度 | -45 to 125 °C | 结工作温度 | -25°C |
文档与媒体
PDF 文档
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