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BD139
| 制造商 | |
| 描述 | Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube NPN TRANSISTOR 80V 1,5A SOT32 TRANSISTOR NPN SOT-32 BD139, NPN Bipolar Transistor, 3A 80V HFE:25V Power, 3-Pin SOT-32 Transistors Bipolar - BJT NPN Audio Amplifier TRANSISTOR, NPN, 45V, 1.5A, SOT-32 TRANSISTOR,NPN,1.5A80V,TO126PKG Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12W; TO126 Power transistor TO-126 NPN 80 V, BD139, ST STMicroelectronics , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:25, 3针 SOT-32封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 50 | 单位包装 | 50 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 | 标准封装名称 | TO-126 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 频率 | 50MHz | 最大功率 | 1.25W |
| 额定功率 | 1.25 W | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 80V | 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 10°C/W | Vce饱和电压（最大） | - 0.5 V, + 0.5 V |
| 最小输入电压 | 80 V | 电源电压（最大） | 5 V |
| 最大功耗 | 1250 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80V |
| 每端口功率（瓦） | 12.5W | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 1.5A | 集电极截止电流（最大） | 3 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V | 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 宽度 | 2.7mm | 高度 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm | 重量 | 0.00064 |
| 包装方式 | Tube | 引脚样式 | Through Hole |
| 端接方式 | :Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-32 | 冷却的封装 | SOT-32 |
| 材料表面处理 | :- | 包装数量 | SOT-32 |
| 主要材料 | Si | 尺寸/外形 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
产品信息
| SPG | 2000 | 类型 | NPN |
| 极性 | NPN | 匹配码 | BD139 |
| 卡标准 | Bipolar Power | 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 | 标准交期 | 12 weeks |
| 使用的IC/零件 | :BD139 | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
文档与媒体
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