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PD410PI2E00F
| 制造商 | |
| 描述 | Photodiode Chip 1000nm 1A/W Sensitivity 2-Pin Sharp PD410PI2E00F Infrared Photodiode, Through-hole Sharp 红外 光电二极管, 通孔安装 |
| 分类 |
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合规参数
| RoHS | Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 下降时间 | 200 ns | 波长 | 1000nm |
| 灵敏度 | 1A/W | 额定功率 | 0.15 W |
| 光谱范围 | Infrared | 上升时间（典型） | 200 ns |
| 响应度 @ nm | 1 A/W | 峰值波长 | 1000nm |
| 灵敏度（mV/g） | 1A/W | 击穿电压 | 32 V |
| 暗电流（最大） | 10 | 暗电流（典型值） | 10 nA |
| 最大功耗 | 150 | 暗电流 Id（最大） | 10 nA |
| 电压负载调整率 | 32 | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 200(Typ) |
机械参数
| 宽度 | 3.75mm | 高度 | 5mm |
| 长度 | 4mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 | 总长度 | 4 |
| 尺寸/外形 | 4 x 3.75 x 5mm | 触点数 | 2 |
| 位数 | 2 | 外壳尺寸-插件 | 5 |
产品信息
| 类型 | Chip | 极性 | Forward |
| 透镜类型 | Black Epoxy | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | -25C to 85C | ||